专利摘要显示,本发明公开了一种泛半导体铝合金真空腔体搅拌摩擦焊接制备方法,属于真空镀膜设备制造技术领域。包括如下工艺步骤:(1)侧板拼装;(2)侧板焊接;(3)侧板加工;(4) 底板拼装;(5)底板焊接;(6)底板加工;(7)退火;(8)腔体加工。本发明使得真空腔体焊接应力减少,提高了机械加工的精度,降低了制造大型腔体时因密封槽有气孔进行返修的可能性。搅拌摩擦焊焊接大型腔体时操作人员可以与腔体保持一定距离,相比氩弧焊焊接要更加安全,环保无污染,难度更低。